- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/26 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet incluant des matériaux destinés à absorber ou à réagir avec l'humidité ou d'autres substances indésirables
Détention brevets de la classe H01L 23/26
Brevets de cette classe: 219
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| SAES Getters S.p.A. | 338 |
15 |
| Raytheon Company | 8535 |
12 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10525 |
11 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
9 |
| Global Circuit Innovations Incorporated | 21 |
9 |
| Robert Bosch GmbH | 40953 |
6 |
| Infineon Technologies AG | 8189 |
6 |
| Monolith Semiconductor, Inc. | 22 |
6 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 43934 |
5 |
| Intel Corporation | 45621 |
4 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
4 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 35384 |
4 |
| Industry-university Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus | 511 |
4 |
| Johnson Matthey Public Limited Company | 1852 |
4 |
| Tesa SE | 1011 |
4 |
| Qualcomm Mems Technologies, Inc. | 628 |
3 |
| Kyocera Corporation | 12735 |
3 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
3 |
| Netlist, Inc. | 119 |
3 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
2 |
| Autres propriétaires | 102 |